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Nanoestruturas de semicondutoras III-V e suas propriedades ópticas

Processo: 16/16365-6
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de dezembro de 2016 - 30 de novembro de 2018
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Fernando Iikawa
Beneficiário:Fernando Iikawa
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Materiais nanoestruturados  Pontos quânticos  Propriedades ópticas 

Resumo

O projeto tem como finalidade investigar as propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores III-V visando, em particular, emissores de luz de fótons individuais. A importância desses emissores de luz se deve a sua aplicação em informação e computação quântica. Neste projeto, pretendemos contribuir nessa área investigando sistemas nanoestruturados de semicondutores, no caso, pontos quânticos, que têm características de emissores de um fóton por vez. Investigaremos dois sistemas: um deles é o ponto quântico de InAsP inserido no nanofio de InP, crescido pelo método vapor-liquid-solid, e o segundo, é o ponto quântico epitaxial, livre de tensão elástica, de GaAs/AlGaAs. Ambos os sistemas serão depois inseridos em microcavidades ópticas para amplificar a emissão. O estudo engloba desde o desenvolvimento dos sistemas emissores de luz e suas propriedades ópticas até o estudo da interação éxciton-fóton, onde envolve o acoplamento da radiação eletromagnética com os excitons. Através deste projeto pretendemos adquirir conhecimentos científicos e tecnológicos sobre o desenvolvimento de fontes de fótons individuais nesses materiais e conhecer suas principais características. (AU)

Publicações científicas (6)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
ERRULAT, DYLAN; MARIN, RICCARDO; GALICO, DIOGO A.; HARRIMAN, KATIE L. M.; PIALAT, AMELIE; GABIDULLIN, BULAT; IIKAWA, FERNANDO; COUTO, JR., ODILON D. D.; MOILANEN, JANI O.; HEMMER, EVA; SIGOLI, FERNANDO A.; MURUGESU, MURALEE. A Luminescent Thermometer Exhibiting Slow Relaxation of the Magnetization: Toward Self-Monitored Building Blocks for Next-Generation Optomagnetic Devices. ACS CENTRAL SCIENCE, v. 5, n. 7, p. 1187-1198, JUL 24 2019. Citações Web of Science: 2.
MORAES, F. C. D.; ULLAH, S.; BALANTA, M. A. G.; IIKAWA, F.; DANILOV, Y. A.; DOROKHIN, V, M.; VIKHROVA, O. V.; ZVONKOV, B. N.; HERNANDEZ, F. G. G. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids. SCIENTIFIC REPORTS, v. 9, MAY 13 2019. Citações Web of Science: 0.
ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; HUANG, C. C. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, MAR 14 2018. Citações Web of Science: 7.
OLIVEIRA, D. S.; ZAVARIZE, M.; TIZEI, L. H. G.; WALLS, M.; OSPINA, C. A.; IIKAWA, F.; UGARTE, D.; COTTA, M. A. Different growth regimes in InP nanowire growth mediated by Ag nanoparticles. Nanotechnology, v. 28, n. 50 DEC 15 2017. Citações Web of Science: 2.
DA SILVA, BRUNO C.; OLIVEIRA, DOUGLAS S.; IIKAWA, FERNANDO; COUTO, JR., ODILON D. D.; BETTINI, JEFFERSON; ZAGONEL, LUIZ F.; COTTA, MONICA A. Exploring Au Droplet Motion in Nanowire Growth: A Simple Route toward Asymmetric GaP Morphologies. Nano Letters, v. 17, n. 12, p. 7274-7282, DEC 2017. Citações Web of Science: 2.
MOLLER, M.; OLIVEIRA, D. S.; SAHOO, P. K.; COTTA, M. A.; IIKAWA, F.; MOTISUKE, P.; MOLINA-SANCHEZ, A.; DE LIMA, JR., M. M.; GARCIA-CRISTOBAL, A.; CANTARERO, A. Fermi energy dependence of the optical emission in core/shell InAs nanowire homostructures. Nanotechnology, v. 28, n. 29 JUL 21 2017. Citações Web of Science: 1.

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