| Processo: | 12/22617-7 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional |
| Data de Início da vigência: | 01 de março de 2013 |
| Data de Término da vigência: | 31 de agosto de 2013 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Fernando Iikawa |
| Beneficiário: | Fernando Iikawa |
| Pesquisador visitante: | Michael Moeller |
| Instituição do Pesquisador Visitante: | Universitat de València , Espanha |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | Campinas |
| Assunto(s): | Nanofios Fotoluminescência Semicondutores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | InAs | nanowires | photoluminescence | semiconductors | wurtzite | zinc blende | Fisica de Semicondutores |
Resumo
Neste projeto, investigaremos as propriedades ópticas e vibracionais de nanofios baseados em InAs através das técnicas de espectroscopia de fotoluminescência e de espalhamento Raman. As amostras são crescidas pelo método conhecido como VLS (vapor-liquid-solid) no reator de CBE (Chemical Beam Epitaxy) com as condições onde a fase wurtzita é favorecida. Investigaremos a estrutura eletrônica de InAs na fase wurtzita em um conjunto de amostras de nanofios que contém somente InAs puro e outro de nanofios de InAs cobertos com uma camada fina de InP. A camada de InP reduz o efeito de superfície, que em muitos casos afeta a emissão óptica, principalmente, de semicondutores de "gap" pequeno como InAs. Investigaremos além da energia do "gap", as energias de separação de desdobramento da banda de valência na fase wurtzita e energias altas da banda de condução. O efeito de tensão devido a presença da camada fina de InP será investigado através do espalhamento Raman. (AU)
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