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Nanoestruturas de semicondutoras III-V e suas propriedades ópticas

Processo: 16/16365-6
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2016
Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2018
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Fernando Iikawa
Beneficiário:Fernando Iikawa
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Materiais nanoestruturados  Pontos quânticos  Propriedades ópticas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:nanoestruturas | pontos quânticos | Propriedades Ópticas | semicondutores | Propriedades ópticas

Resumo

O projeto tem como finalidade investigar as propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores III-V visando, em particular, emissores de luz de fótons individuais. A importância desses emissores de luz se deve a sua aplicação em informação e computação quântica. Neste projeto, pretendemos contribuir nessa área investigando sistemas nanoestruturados de semicondutores, no caso, pontos quânticos, que têm características de emissores de um fóton por vez. Investigaremos dois sistemas: um deles é o ponto quântico de InAsP inserido no nanofio de InP, crescido pelo método vapor-liquid-solid, e o segundo, é o ponto quântico epitaxial, livre de tensão elástica, de GaAs/AlGaAs. Ambos os sistemas serão depois inseridos em microcavidades ópticas para amplificar a emissão. O estudo engloba desde o desenvolvimento dos sistemas emissores de luz e suas propriedades ópticas até o estudo da interação éxciton-fóton, onde envolve o acoplamento da radiação eletromagnética com os excitons. Através deste projeto pretendemos adquirir conhecimentos científicos e tecnológicos sobre o desenvolvimento de fontes de fótons individuais nesses materiais e conhecer suas principais características. (AU)

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Publicações científicas (10)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
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ERRULAT, DYLAN; MARIN, RICCARDO; GALICO, DIOGO A.; HARRIMAN, KATIE L. M.; PIALAT, AMELIE; GABIDULLIN, BULAT; IIKAWA, FERNANDO; COUTO, JR., ODILON D. D.; MOILANEN, JANI O.; HEMMER, EVA; et al. A Luminescent Thermometer Exhibiting Slow Relaxation of the Magnetization: Toward Self-Monitored Building Blocks for Next-Generation Optomagnetic Devices. ACS CENTRAL SCIENCE, v. 5, n. 7, p. 1187-1198, . (16/16365-6, 14/50906-9, 12/11382-9, 13/22127-2)
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MORAES, F. C. D.; ULLAH, S.; BALANTA, M. A. G.; IIKAWA, F.; DANILOV, Y. A.; DOROKHIN, V, M.; VIKHROVA, O. V.; ZVONKOV, B. N.; HERNANDEZ, F. G. G.. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids. SCIENTIFIC REPORTS, v. 9, . (16/16365-6, 15/16191-5)
DA SILVA, BRUNO C.; COUTO, ODILON D. D., JR.; OBATA, HELIO T.; DE LIMA, MAURICIO M.; BONANI, FABIO D.; DE OLIVEIRA, CAIO E.; SIPAHI, GUILHERME M.; IIKAWA, FERNANDO; COTTA, MONICA A.. Optical Absorption Exhibits Pseudo-Direct Band Gap of Wurtzite Gallium Phosphide (vol 10, 7904, 2020). SCIENTIFIC REPORTS, v. 10, n. 1, p. 1-pg., . (15/24271-9, 12/11382-9, 16/16365-6, 15/16611-4)