Propriedades opticas de nanoestruturas semicondutoras

Resumo

Neste projeto serão investigadas as propriedades ópticas de semicondutores nanoestruturados baseados em pontos quânticos auto-organizados e nanofios. As estruturas contendo pontos quânticos são preparadas de tal forma que os elétrons e buracos ficam espacialmente separados na estrutura, com isso, pretendemos manipular a distribuição espacial da função de onda e o tempo de vida dos portadores. Devido à forte localização espacial dos portadores em sistemas como pontos quânticos favorece a supressão dos mecanismos eficientes de relaxação de spin relacionados com o movimento, aumentando o seu tempo de vida de spin, assim outros mecanismos menos eficientes, tais como interação portador-núcleo, tomam-se importantes. Nesse caso, é essencial que a escala de tempo de vida dos portadores seja da ordem de grandeza ou mais longo para investigar a dinâmica de spin por técnicas ópticas. Outra nanoestrutura do nosso interesse é o nanotio de compostos III-V. Esses nanofios apresentam fases cristalinas que não tem sido observada na forma "bulk" que, no geral, estão na fase cúbica. Os nanofios crescidos por método VLS (vapor-líquid-solid) de compostos III-V têm sido observados na fase wrutzita e suas propriedades ópticas são pouco conhecidas. Além disso, a coexistência das duas fases, cúbicas e hexagonais, forma poços quânticos devido à diferença da energia do gap entre as duas fases, confinando assim portadores ao longo do nanofio. Esse efeito altera as propriedades ópticas e de spin em nanofios e serão os assuntos tratados neste projeto. (AU)