Estudo teórico de defeitos compensadores em semicondutores

• Processo: 99/09414-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 04 de janeiro de 2000
• Data de Término da vigência: 03 de janeiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Anderson Janotti
• Beneficiário: Anderson Janotti
• Pesquisador Anfitrião: Su-Huai Wei
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: National Renewable Energy Laboratory (NREL), Estados Unidos
• Assunto(s): Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos Profundos | Estrutura Eletronica | Impurezas | Semicondutores

Resumo

As aplicações tecnológicas dos semicondutores dependem fundamentalmente da habilidade de dopá-los. Apesar do grande avanço tecnológico na fabricação de dispositivos baseados em semicondutores, existem restrições, ainda pouco conhecidas, na dopagem desses materiais. Neste projeto utilizaremos cálculos de primeiros princípios para identificar os defeitos compensadores em semicondutores, que são os responsáveis direto pela limitação na capacidade de se dopar, e assim controlar de forma eficiente as propriedades eletrônicas dos semicondutores. (AU)