| Processo: | 96/11526-6 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Pesquisa |
| Data de Início da vigência: | 07 de março de 1997 |
| Data de Término da vigência: | 20 de abril de 1997 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Flavio Aristone |
| Beneficiário: | Flavio Aristone |
| Pesquisador Anfitrião: | José Sanchez Dehesa |
| Instituição Sede: | Pessoa Física |
| Instituição Anfitriã: | Universidad Autónoma de Madrid (UAM), Espanha |
| Assunto(s): | Dopagem planar Simulação numérica Semicondutores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dopagem Planar | Parametros De Crescimento | Simulacao Numerica | Transporte Vertical |
Resumo O crescimento de estruturas semicondutoras complexas é atualmente dominado através do uso de técnicas como M.B.E. Pretendemos modelizar as condições (determinação de parâmetros mais adaptados) para o crescimento de super-redes do tipo S-doped onde se possa buscar efeitos como N.D.V. e/ou N.D.C. (velocidade diferencial negativa e condutância diferencial negativa), em experimentos de transporte vertical (na direção de crescimento). Tais dispositivos são de importância máxima para a elaboração de osciladores de altas frequências, por exemplo. (AU) | |
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