Fotocondutividade dependente da temperatura em amostras dopadas de germânio amorfo hidrogenado

• Processo: 97/07252-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1997
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ivan Emilio Chambouleyron
• Beneficiário: Françoise Toledo Reis
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Dopagem eletrônica Fotocondutividade Germânio Materiais amorfos Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dopagem | Fotocondutividade | Germanio Amorfo Hidrogenado | Semicondutores Amorfos

Resumo

Neste projeto de tese de doutorado pretende-se estudar a dependência da fotocondutividade (PC) com a temperatura em amostras intrínsecas e dopadas de germânio amorfo hidrogenado, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do Instituto de Física "Gleb Wataghin" da UNICAMP. Pretende-se realizar três tipos de medidas: (i) fotocondutividade dependente da temperatura, à energia de fóton incidente fixa, de onde se pretende verificar a existência de thermal quenching nas referidas amostras, (ii) dependência do expoente y (Ipc ? Fy) com a temperatura, e (iii) fotocondutividade espectral, à temperaturas fixas. Em todas as medidas pretende-se observar a variação no comportamento da fotocondutividade devido ao deslocamento do nível de Fermi, provocado pela dopagem. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

REIS, Françoise Toledo. Fotocondutividade dependente da temperatura em filmes finos de germânio amorfo hidrogenado dopados com gálio e arsênio. 2001. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.