Estudo do recozimento térmico em filmes dopados com diferentes concentrações de boro

• Processo: 96/00494-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Vitor Baranauskas
• Beneficiário: Li Bin Bin
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Contorno De Grao | Diamante | Microestrutura | Semicondutor

Resumo

Este projeto visa principalmente estudar a relação entre as propriedades elétricas, foto e/ou e térmo-induzidas apresentadas pelo diamante semicondutor em função da microestrutura do material. Serão investigados os efeitos das estruturas granulares inter-granulares, e da dopagem, sobre as macro-propriedades. As técnicas de análise para caracterização serão: Raio-x, Espectroscopia de micro-Raman, Microscopias de Força Atômica e de tunelamento de elétrons e Microscopia eletrônica de varredura. (AU)