| Processo: | 92/00032-1 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de abril de 1992 |
| Data de Término da vigência: | 15 de dezembro de 1992 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Máximo Siu Li |
| Beneficiário: | Artemis Marti Ceschin |
| Instituição Sede: | Instituto de Física e Química de São Carlos (IFQSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil |
Resumo Amostra de InxGa1-xAs crescida sobre substratos de GaAs (100) perfeitamente orientados e desorientados de alguns graus (2,3,4, e 6) na direção (I 10), pela técnica de MBE e que foram caracterizados por fotoluminescência (PL), serão agora caracterizados por espectroscopia Raman. Esse tipo de caracterização nos permitirá fazer uma comparação com os resultados de PL e assim concluir sobre o efeito da desorientação do substrato no crescimento epitaxial. Eventualmente, esperamos realizar o mesmo tipo de crescimento (InxGa1-xAs/GaAs) no nosso laboratório de MBE, mas dopando as amostras com Si (tipo n) para realizar possíveis caracterizações elétricas (efeito Hall, fotocondutividade). A redação da tese também deverá ser feita durante estes 12 meses de duração da bolsa. (AU) | |
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa: | |
| Mais itensMenos itens | |
| TITULO | |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): | |
| Mais itensMenos itens | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |