Texto completo
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| Autor(es): |
Artemis Marti Ceschin
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | São Carlos. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) |
| Data de defesa: | 1992-12-17 |
| Membros da banca: |
Maximo Siu Li;
Andre Bohomoletz Henriques;
Paulo Motisuke;
Luiz Antonio de Oliveira Nunes;
Suhaila Maluf Shibli
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| Orientador: | Maximo Siu Li |
| Resumo | |
Utilizando a técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), crescemos heteroestruturas tensionadas de InxGa1-xAs sobre substratos de GaAs (100). A composição de In, a espessura para a transição 2D-3D e a espessura crítica (hc) foram determinadas através da análise \"in situ\" pelo RHEED. Os valores da hc e da espessura para a transição 2D- 3D foram observadas ser funções da composição do In e da temperatura do substrato. Um estudo do efeito da desorientação do substrato de GaAs (100) de alguns graus sobre as qualidades ópticas (PL) de poços quânticos simples e múltiplos de InxGa1-xAs/GaAs também foi realizado. Microscopia eletrônica por transmissão (TEM) foi utilizada para a verificação da qualidade das interfaces dos poços quânticos de InxGa1-x/GaAs. Algumas estruturas de dupla barreira (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/AlGaAs) foram crescidas e caracterizadas opticamente (PL) (AU) | |
| Processo FAPESP: | 92/00032-1 - Crescimento e caracterização de heteroestruturais tensionadas de InxGal-xAs sobre GaAs |
| Beneficiário: | Artemis Marti Ceschin |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |