Estrutura eletrônica e propriedades relacionadas de defeitos nativos e impurezas em nitretos do Grupo III: AlN, GaN, InN

• Processo: 96/12071-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Lara Kühl Teles
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Arn | Defeitos | Estrutura Eletronica | Gan | Impurezas | Inn

Resumo

Realização de cálculos de estrutura eletrônica autoconsistentes usando o método de "full-potential linear augmented plane-wave" (FPLAPW) dentro do modelo da célula unitária grande, para estudar "bulk" defeitos nativos e impurezas em nitretos do grupo III, tais como GaN AlN e InN. Obtenção de energia total, "Bulk - Modulus", comportamento do Gap com pressão, relaxações e distorções, etc. na presença de impurezas e/ou defeitos. (AU)