Estrutura de bandas de buracos em poços de dopagem δ tipo-p sob efeito de campos magnéticos paralelos às camadas

• Processo: 96/00661-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 1998
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Luis Eugenio Ramos
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Estrutura eletrônica Poços quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Eletronica | Teoria

Resumo

Consiste em estudar a estrutura eletrônica de bandas em poços com dopagem planar tipo-p em GaAs sob ação de campos magnéticos paralelos às camadas. O modelo adotado será o de Luttinger-Kohn para se obter soluções autoconsistentes da equação da massa efetiva, junto com a equação de Poisson. Será utilizada uma representação de ondas planas. Cálculos da estrutura de sub-bandas, ocupações, perfis de potencial, nível de Fermi etc., serão efetuados para várias concentrações de aceitadores e valores de campo. Será efetuada extensão à cálculos de poços tipo-n. (AU)