Microscopia eletronica de varredura e espectroscopia raman da osteointegracao apos implantes tratados com lllt em 830mm.

• Processo: 00/08104-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2002
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Biomédica - Engenharia Médica
• Pesquisador responsável: Sokki Sathaiah
• Beneficiário: Cibelle Barbosa Lopes
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento (IP&D). Universidade do Vale do Paraíba (UNIVAP). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectroscopia Raman Laser de baixa intensidade Implantes dentários Terapia a laser de baixa intensidade
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Analise M.E.V | Bioestimulacao Ossea | Espectroscopia Raman | Implantes Dentarios | Interface Implante - Osso | Laser De Baixa Potencia

Resumo

O período necessário para a estabilidade dos implantes, ou seja, para receberem cargas é ainda um dos problemas a serem vencidos pela implantodologia. Uma alternativa é a aplicação do Laser de Baixa Potência, após a implantação dos pinos. Encontra-se na literatura muitos trabalhos com a irradiação desse tipo de Laser em tecidos moles, porém em tecidos duros existem poucos trabalhos, portanto o objetivo é comparar a neoformação óssea em implantes inseridos em tíbia de coelhos irradiados com Laser de Baixa Potência (830nm) e grupo controle. As análises serão feitas através da Espectroscopia Raman e análise com Microscopia Eletrônica de Varredura (M.E.V.). Na Espectroscopia Raman, será observado à quantidade de Hidroxiapatita de Ca incorporada ao tecido ósseo e através da M.E.V., na qual, não é necessário remover os implantes para a análise, será observado o tecido ósseo neoformado ao redor do implante, ou seja, a interface implante-osso. Visando dessa forma, uma redução do tempo de osteointegração dos implantes.? (AU)