Estruturas atômicas e eletrônicas das superfícies de nitreto de gálio (GaN)

• Processo: 97/03509-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1998
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: Juarez Lopes Ferreira da Silva
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Nitreto de gálio Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento | Estrutura Eletronica | Mbe | Nitreto De Galio | Superficies

Resumo

Os nitretos do grupo III (GaN, AIN, InN, BN) têm sido intensamente investigados nestes últimos anos devido a sua grande potencialidade em aplicações tecnológicas. Em particular, no caso do GaN, este explosivo interesse internacional vem de seu uso recente na fabricação de LEDs (1994) e Lasers (1996) com emissão na região do UV e do azul. No presente projeto, pretendemos utilizar os métodos "ab initio" "Full Potential Linear Augmented Plane Wave" (FLAPW) e Pseudopotencial para estudar as estruturas atômicas e eletrônicas das superfícies (001) (100), e (111) do GaN. No caso específico da superfície (001), pretendemos correlacionar os resultados com os mecanismos de crescimento do GaN cúbico por MBE. Este projeto é a continuação de nosso trabalho com estas superfícies, utilizando o método "Tight Binding" e de aglomerados. (AU)