Interação elétron-fônon e propriedades de impurezas rasas em estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade

• Processo: 96/05037-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gerald Weber
• Beneficiário: Augusto Miguel Alcalde Milla
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Fônons Elétrons Semicondutores Pontos quânticos Poços quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Inteacao Eletron Fonon | Nao-Paraolicidadde | Pocos Quanticos | Pontos Quanticos | Taxas De Transicao

Resumo

Estudar a interação elétrica-fônon, tacas de transição e energias de ligação de impurezas rasas em pontos quânticos de semicondutores II-VI. Também serão calculadas as taxas de transição de poços quânticos de Ingaas - InP com efeitos de não-parabolicidade das sub-bandas. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MILLA, Augusto Miguel Alcalde. Relaxação de portadores via interação elétron-fônon em pontos e poços quânticos. 1999. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.