Estudo de propriedades magneticas de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras.

• Processo: 01/12387-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2002
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gilberto Medeiros Ribeiro
• Beneficiário: Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14757-4 - Materiais nanoestruturados investigados por microscopias de tunelamento e força atômica através de medidas de transporte, AP.JP
• Assunto(s): Crescimento epitaxial Materiais nanoestruturados Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Nanoestruturas | Semicondutores

Resumo

Pretende-se com este trabalho um entendimento das propriedades magnéticas de nanoestruturas semicondutoras epitaxiais, mais especificamente self-assembled quantum dots (SAQDs), ou pontos quânticos autoformados de InAs:GaAs (001). O sistema a ser estudado envolve dois aspectos de grande interesse dentro da comunidade de sistemas nanoestruturados: a) a possibilidade de produção em massa de materiais nanoestruturados; b) entendimento das propriedades do spin eletrônico de sistemas 0D, fundamental para a implementação da spintrônica. Pretende-se caracterizar o sistema InAs:GaAs (001) modificado através da incorporação de impurezas magnéticas nestes por implantação iônica. (AU)