Condutividade elétrica perpendicular as camadas em super-redes com dopagem planar tipo-n

• Processo: 94/01557-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1995
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Sara Cristina Pinto Rodrigues
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Condutividade elétrica Super-redes Dopagem planar Equação de transporte de Boltzmann
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Condutividade Eletrica | Super-Redes | Teoria | 8-Doping

Resumo

O plano de trabalho que propomos à Srta. Sara Cristina P. Rodrigues consiste no estudo quantitativo da condutividade elétrica ao longo do eixo perpendicular às camadas em super-redes de Si e GaAs com dopagem planar (-doping) tipo-n, a partir de resultados de cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica desses sistemas para várias concentrações de dopantes e períodos da super-rede. A condutividade como função da posição do nível de Fermi será determinada utilizando-se a equação de transporte de Boltzmann dentro da aproximação do tempo de relaxação. Uma análise sistemática da transição isolante-metal nestes tipos de estruturas será efetuada, incluindo a obtenção de diagramas de fase envolvendo a concentração de dopantes versus o período das super-redes. (AU)