Propriedades eletronicas do bulk e de impurezas aceitadoras em ligas semicondutoras de inxga1-xn e alyga1-yn.

• Processo: 98/15112-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1999
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Marcelo Marques
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Alga N | Bul K | Estrutura Eletronica | Inga N | Metodo Lapw | Nitretos Do Group-Iii

Resumo

Serão realizados cálculos de estrutura eletrônica de nitretos do grupo - III via método de primeiros princípios FPLAPW dentro do modelo da célula unitária grande e LDA. Objetiva-se o estudo do GaN, AeN e InN nas formas cúbica e Wurtizita; mediante variações no parâmetro de rede do GaN, estudar o comportamento da estrutura de bandas nas ligas InGaN e AeGaN. Impurezas aceitadoras, MG e Be, serão também estudadas utilizando-se células de 32 átomos, e a dependência dos níveis de impureza com a formação das ligas será analisada. (AU)