Estrutura eletronica de impurezas simples e complexas envolvendo atomos leves em gaas.

• Processo: 96/06858-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1996
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Armando Corbani Ferraz
• Beneficiário: Walter Manuel Orellana Muñoz
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Oxigênio Hidrogênio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Hidrogenio | Oxigenio

Resumo

Nosso projeto consiste em estudar a estrutura eletrônica de impurezas substitucionais de oxigênio e nitrogênio em arseneto de gálio e o mecanismo de passivação destes centros por meio da incorporação de átomos de hidrogênio. Estes átomos leves são os principais contaminantes nos processos de crescimento de semicondutores, devido principalmente a sua alta difusibilidade, daí a importância na sua caracterização. Além das impurezas substitucionais estaremos estudando os pares complexos: O-H, N-H e N-H2. O método utilizado é o de pseudopotencial ab-initio de Troullier-Martins na descrição atômica e de dinâmica molecular de Car-Parrinello no cálculo de energia total e relaxação estrutural. A rede é simulada com uma célula periódica de 32 átomos, onde são relaxadas até duas camadas envolta da impureza substitucional. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MUÑOZ, Walter Manuel Orellana. Estrutura Eletrônica de Impurezas Simples e Complexas Envolvendo Átomos Leves em GaAs. 1997. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.