Estudo de danos termicos superficiais em semicondutores iii-v por espalhamento raman.

• Processo: 98/15282-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1999
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Paulo Sergio Pizani
• Beneficiário: Carlos Eduardo Maduro de Campos
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectroscopia Raman Desordem
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Danos Termicos | Desordem | Espectroscopia Raman

Resumo

- Estudar efeitos de ordem química e estrutural gerados por tratamentos térmicos em semicondutores III-V (GaSb, GaAs e InSb). - Observar a evolução dos modos LO e TO da matriz semicondutora e Alg e Eg do arsênio e antimônio. - Determinar as constantes ana (AU)