Estudo teorico das propriedades semicondutores do sno2 em sua forma pura ou dopada.

• Processo: 97/05006-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Elson Longo da Silva
• Beneficiário: Fabrício Ronil Sensato
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Dióxido de estanho Varistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ab-Initio | Semicondutor | Sno2 | Varistor

Resumo

Neste projeto propõe-se o estudo teórico em nível ab-initio das propriedades receptoras e transdutoras da superfície do SnO2 as quais determinam a viabilização desse material como sensor seletivo a gases. Pretende-se investigar os efeitos da presença de vacâncias (VSn,Vo), dopantes (Nb, Co, Cr, Ta, V, Mn, Zn, Cu) e adsorvatos (H2, H2O, O2, O-, O-2), sobre as propriedades varistoras do SnO2. (AU)