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Obtenção de filmes finos de BaBi2Ta2O9 (BBT) e babi2nb2o9 (BBN) a partir de precursores poliméricos

Processo: 97/10718-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de fevereiro de 1998
Vigência (Término): 31 de julho de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
Pesquisador responsável:Maria Aparecida Zaghete Bertochi
Beneficiário:Talita Mazon
Instituição-sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos   Materiais ferroelétricos

Resumo

Os óxidos ferroelétricos de camada de Bismuto BaBi2Ta2O9 e BaBi2Nb2O9 apresentam propriedades ferroelétricas e podem ser materiais promissores para o uso em memórias não voláteis. Entretanto, muito pouco se sabe a respeito da preparação de filmes finos destes óxidos. Filmes finos dos óxidos ferroelétricos de camada de Bismuto BaBi2Ta2O9 e BaBi2Nb2O9 serão preparados utilizando o método de Pechini. A deposição dos filmes será feita pela técnica "dip coating" em substratos como: vidro, silício orientado e outros. A caracterização dos filmes finos obtidos será feita por difração de raios X com ângulo rasante (DRX-AR), por MEV e MET. Técnicas como Espectroscopia de Foto-emissão de Raios X (XPS) e a Fluorescência de Raios X poderão ser utilizadas. Na última etapa os filmes serão caracterizados quanto a suas propriedades dielétricas. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MAZON, Talita. Preparação e caracterização de filmes finos de 'BA''BI IND.2''TA IND.2''O IND.9(BBT)' e 'BA''BI IND.2''NB IND.2''O IND.9(BBN)'. 2001. 107 f. Tese de Doutorado - Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Instituto de Quimica. Araraquara.

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