Espectrometria de raios-x na faixa de energia 5 a 200 kev, utilizando fotodiodos pin de silicio.

• Processo: 96/10088-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Nuclear
• Pesquisador responsável: Silvio Bruni Herdade
• Beneficiário: Marcia de Carvalho Silva
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Radiologia Raios X Espectroscopia
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Espectroscopia | Fotodiodo | Radiologia | Raios-X

Resumo

Serão realizadas medições de espectros de raios-X de fontes radioativas e tubos de raios-X, utilizando-se fotodiodos PIN de silício, convencionais ou de avalanche, à temperatura ambiente na faixa de energia 16 a 200 keV. Posteriormente, será desenvolvida uma ponta de prova constituída pelo fotodiodo e transistor FET de entrada do pré-amplificador refrigerados termoeletricamente (efeito Peltier). Com esta ponta de prova refrigerada, espera-se uma melhora considerável na resolução de energia do sistema (de 4,0 para 0,5 keV), e as medições poderão ser estendidas a energias mais baixas como as encontradas nos equipamentos de mamografia e nos monitores de vídeo. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

SILVA, Marcia de Carvalho. Espectroscopia de raios X na faixa de energia de 5 a 200 keV, utilizando fotodiodos PIN de silício. 2001. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.