Estudo teorico da adsorcao de atomos e moleculas em superficies de cristais do tipo iv e iv-iv.

• Processo: 03/05504-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2004
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Jeverson Teodoro Arantes Junior
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 01/13008-2 - Simulação computacional de materiais nanoestruturais, AP.TEM
• Assunto(s): Átomos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Atomos

Resumo

O projeto de doutorado do Sr. Jeverson Teodoro Arantes Júnior tem como objetivo principal o estudo teórico da adsorção de átomos e moléculas em superfícies de cristais de Si, Ge, SiC e liga SiGe. Em particular, a adsorção de C no Si, Ge e SiGe, superfície (001), será estudada em detalhe, com o objetivo de entender os sítios preferenciais de adsorção nesses diferentes sistemas. Pretende-se comparar os resultados obtidos com imagens de STM. Além disso, pretende-se entender os passos iniciais na formação do óxido de SiO2 sobre a superfície de SiC. A relevância de se estudar esse processo, ao nível microscópico, está não só na grande importância desse material na indústria de dispositivos microeletrônicos, bem como na contribuição que um estudo deste tipo pode trazer para a área fundamental de dinâmica de processos em superfícies. O método utilizado para a descrição da estrutura eletrônica em todos os casos será baseado na Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Como o estado fundamental do O2 é um tripleto, pretendemos realizar cálculos utilizando polarização de spin. Para o caso do O2 em SiC, pretendemos, ao final do trabalho, identificar: 1) como a ligação O-0 da molécula de O2 é quebrada; 2) como ocorre a posterior inserção dos átomos de O entre as ligações Si-C; e 3) finalmente, como a molécula de CO escapa da superfície, deixando para trás ligações Si-O-Si do SiO2. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn. 2007. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.