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Lasers semicondutores em cavidade estendida aplicados à espectroscopia de alta resolução

Texto completo
Autor(es):
Guilherme de Andrade Garcia
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Tese de Doutorado
Imprenta: Campinas, SP.
Instituição: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Data de defesa:
Membros da banca:
Artemio Scalabrin; Vanderlei Salvador Bagnato; Armando Mirage; Fernando Jorge da Paixão; Daniel Pereira
Orientador: Artemio Scalabrin
Resumo

Montamos um Laser Semicondutor em Cavidade Estendida (LSCE) para contornar algumas limitações de diodos laser isolados como pequeno intervalo de sintonia, grande largura de linha e regiões espectrais inacessíveis. Usamos a configuração Littman-Metcalf devido a algumas vantagens importantes, uma das quais é a alta seletividade espectral devido ao uso de uma grade de difração com incidência rasante e dupla passagem. Esta configuração permitiu sintonia contínua de 10 GHz e descontínua de ± 5 nm, fornecendo potência útil de 3 mW em um feixe elíptico estável usando um diodo laser comercial sem coberturas refletoras ou anti-refletoras especiais. Usando controle de temperatura ativo e uma fonte de corrente comercial de boa qualidade estimamos uma largura de linha de 2 MHz. Este protótipo foi empregado como um espectrômetro laser no estudo da estrutura hiperfina e desvios isotópicos de um conjunto de linhas espectrais intensas do titânio próximas a 845 nm (DJ = -1; a 5Fi ® z 5Djodd). Através de uma Lâmpada de Cátodo Oco ("Hollow Cathode Lamp"), com um cátodo de titânio metálico não enriquecido e uma atmosfera de argônio, produzimos uma amostra gasosa de átomos refratários altamente populada nos níveis metaestáveis inferior. A escala de freqüências foi calibrada pelos picos de transmissão de um interferômetro Fabry-Perot confocal com 'Free-Spectral Range' de 75 MHz. Usando técnicas de espectros copia sub-doppler resolvemos a estrutura hiperfina e isotópica deste interessante átomo na região de 845 mm, obtendo desvios isotópicos e constantes hiperfinas com grande precisão, e permitindo a separação dos desvios isotópicos específicos e de campo (AU)

Processo FAPESP: 96/04128-4 - Lasers semicondutores aplicados à espectroscopia
Beneficiário:Guilherme de Andrade Garcia
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado