Texto completo
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| Autor(es): |
Frederico Ayres de Oliveira Neto
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) |
| Data de defesa: | 2005-07-14 |
| Membros da banca: |
Lucy Vitoria Credidio Assali;
Valdir Bindilatti;
Klaus Werner Capelle;
Ivan Costa da Cunha Lima;
Ronei Miotto
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| Orientador: | Lucy Vitoria Credidio Assali |
| Resumo | |
O iodeto de mercúrio em sua fase vermelha, \"alfa\"-\"HgI IND.2, é um material semicondutor que desperta grande interesse tecnológico devido à sua potencial aplicação como detector, a temperatura ambiente, de raios-\"gama\" e X. Sua imediata aplicação como detector de radiação, no entanto, ainda sofre algumas restrições devido às dificuldades de controle sobre a concentração de defeitos pontuais e extensos, durante sua síntese, e sua fácil degradação quando exposto ao ambiente. A presença destes defeitos gera uma redução na mobilidade de portadores de carga, diminuindo a eficiência de detecção. Neste trabalho, realizamos uma investigação teórica das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas do \"alfa\"-\"HgI IND.2\" e do \"ZnI IND.\", cuja estrutura cristalina é análoga à do \"alfa\"-\"HgI IND.2\". Estudamos, também, o comportamento de tais propriedades do material contendo vacâncias de Hg e de I para entendermos o papel desempenhado por estes defeitos nas propriedades do material. Na análise dos resultados, sempre que possível, são apresentadas comparações com outros resultados teóricos e com dados experimentais. Nossos cálculos foram efetuados dentro do formalismo do funcional da densidade em combinação com duas diferentes aproximações para o termo de exchange e correlação. Utilizamos o método Augmented Plane Wave plus local orbitals (APW+lo), que é um método de primeiros princípios e inclui todos os elétrons do sistema (all electron). Adicionalmente, foram utilizados esquemas que incluem efeitos relativísticos e polarização de spin. O estudo dos defeitos foi simulado através do esquema da supercélula (AU) | |
| Processo FAPESP: | 00/08185-0 - Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas em semicondutores HgL2 |
| Beneficiário: | Frederico Ayres de Oliveira Neto |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |