Texto completo
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| Autor(es): |
Inacio Regiani
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | São Carlos. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) |
| Data de defesa: | 2001-11-19 |
| Membros da banca: |
Milton Ferreira de Souza;
José Carlos Bressiani;
Antonio Carlos Hernandes;
José de Anchieta Rodrigues;
Roberto Tomasi
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| Orientador: | Milton Ferreira de Souza |
| Resumo | |
Filmes de carbeto de silício, SiC, cristalinos foram depositados sobre peças de mulita por meio da técnica de deposição química por vapor (CVD) a pressão atmosférica. As características da superfície do substrato determinam se o filme será denso ou poroso, enquanto a temperatura define a cristalinidade e a taxa de nucleação para formação do filme. Durante os procedimentos de preparação do substrato de mulita para a deposição do filme, observou-se o fenômeno da formação de whiskers de mulita quando adicionados 3%mol de terras raras a peça. O fenômeno de crescimento destes whiskers foi sistematicamente estudado para sua caracterização e compreensão do mecanismo de formação. A adição de terras raras promoveu um abaixamento na temperatura de mulitização e a formação de whiskers com uma composição cuja razão alumina / sílica é de 1,3, uma das mais baixas observadas. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 97/09862-0 - Revestimentos cerâmicos sobre cerâmica |
| Beneficiário: | Inacio Regiani |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |