Texto completo
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| Autor(es): |
Iara Batista de Lima
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Dissertação de Mestrado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN/BT) |
| Data de defesa: | 2010-03-15 |
| Membros da banca: |
Carmen Cecília Bueno Tobias;
Josemary Angélica Corrêa Gonçalves;
Marcos Nogueira Martins
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| Orientador: | Carmen Cecília Bueno Tobias |
| Resumo | |
Neste trabalho so apresentadas as medidas do coeficiente de multiplicao gasosa (α) no isobutano puro obtidas com uma cmara de placas paralelas protegida contra descargas por um eletrodo de vidro (anodo) de elevada resistividade (ρ = 2 x 1012.cm). O mtodo empregado foi o de Townsend pulsado, onde a ionizao primria produzida pela incidncia de um feixe de laser de nitrognio em um eletrodo metlico (catodo). As correntes eltricas medidas com a cmara operando em regime de ionizao e de avalanche foram utilizadas para o clculo do coeficiente de multiplicao gasosa pela soluo da equao de Townsend para campos eltricos uniformes. A tcnica utilizada foi validada pelas medidas do coeficiente de multiplicao gasosa no nitrognio, um gs amplamente estudado, e para o qual se tem dados bem estabelecidos na literatura. Os coeficientes de multiplicao gasosa do isobutano foram medidos em funo do campo eltrico reduzido no intervalo de 139Td a 208Td. Os valores obtidos foram comparados com os simulados pelo programa Imonte (verso 4.5) e com os nicos dados existentes na literatura, recentemente obtidos pelo nosso grupo. Esta comparao demonstrou que os resultados so concordantes dentro dos erros experimentais. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 07/06773-0 - Medidas do coeficiente de multiplicação gasosa no isobutano puro |
| Beneficiário: | Iara Batista de Lima |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |