Texto completo
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| Autor(es): |
Pedro Paulo de Mello Venezuela
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) |
| Data de defesa: | 1996-12-18 |
| Membros da banca: |
Adalberto Fazzio;
Alex Antonelli;
Lucy Vitoria Credidio Assali;
Hélio Chacham;
Marcia Carvalho de Abreu Fantini
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| Orientador: | Adalberto Fazzio |
| Resumo | |
Apresentamos um estudo sistemático das propriedades eletrônicas e estruturais dos elementos N, P e AS em SI e GE amorfos. Primeiramente, utilizamos o método de Monte Carlo para gerar as configurações amorfas iniciais. Nesta etapa as interações atômicas são descritas pelos potencias de Tersoff. A partir do modelo inicial para os sistemas desordenados, as propriedades eletrônicas e estruturais são determinadas usando a teoria do funcional da densidade e os pseudopotenciais de Bachelet-Hamann-Schlüter. Concluímos que as impurezas de P e AS são estáveis em sítios tricoordenados e metaestáveis em sítios tetracoordenados para os dois sistemas hospedeiros. Por outro lado a impureza de N apresenta um comportamento diferente. Este átomo é estável em sítios tricoordenados para ambos os hospedeiros, mas em sítios tetracoordenados ele é instável no a-SI e metaestável no a-GE. Discutimos a relevância de nossos resultados relacionados com a dopagem tipo-n de semicondutores amorfos hidrogenados. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 93/00351-2 - Propriedades eletrônicas e estruturais de semicondutores amorfos |
| Beneficiário: | Pedro Paulo de Mello Venezuela |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |