Tipo de documento: | Patente |
Inventor(es): | Alexandre Ventieri; Sônia Hatsue Tatumi; Manuel Alfredo Espinoza Sánchez; Juan Carlos Ramirez Mittani; José Francisco Sousa Bitencourt; Katia Alessandra Gonçalves |
Depositante: | Alexandre Ventieri ; Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) ; Juan Carlos Ramirez Mittani ; Manuel Alfredo Espinoza Sánchez ; Sônia Hatsue Tatumi |
Data do depósito: | 11 de maio de 2010 |
Registro INPI: | |
IPC: | G01J 1/58 C01F 7/30 |
CONFECÇÃO DE DOSÍMETROS DE POLICRISTALINOS DE <244> - Al~ 2~O~ 3~ DOPADA COM IMPUREZAS (METAIS, SEMIMETAIS, NÃO-METAIS, TERRAS - RARAS) PELO PROCESSO SOL-GEL PARA UTILIZAÇÃO NA DOSIMETRIA DA RADIAÇÃO IONIZANTE. Onde, para a obtenção dos policristais de alumina via Sol-Gel, são utilizados em 3 estágios, compreendendo a reação química a partir de Sec-Butóxido de alumínio dissolvido em água destilada em um balão volumétrico acoplado a um agitador mecânico, recebendo Ácido Clorídrico, catalisador da hidrólise, diluído em água destilada, sendo adicionadas, após manutenção em refluxo constante, impurezas (dopantes), como Carbono (Nonil Fenol Etoxilado) e Óxido de Neodímio, ambos diluídos em álcool iso-propilico (F. Maia), intensificando aspropriedades luminescentes dos dosímetros, além de Titânio, Magnésio, Manganês, Európio e outras e, após 1 hora de agitação, podendo-se visuzalizar o gel. Segue-se a secagem do Gel, distribuído em placa de "petry" e levado à estufa em temperatura adequada para não alterar-se suas propriedades. Após a etapa de secagem a Amostra (Hidróxido de Alumínio) na forma de pó é tratada termicamente com taxas de aquecimento e temperaturas adequadas para obtenção da fase alfa da alumina, seguida de resfriamento realizado em processo a lento.
Processo FAPESP: | 09/51905-8 - Confecção de dosímetros policristalinos de alfa-Al2O3 dopada com impurezas (metais, semimetais, não-metais, terras-raras) pelo processo sol-gel para utilização na dosimetria da radiação ionizante |
Beneficiário: | Sonia Hatsue Tatumi |
Pesquisador responsável: | Sonia Hatsue Tatumi |
Instituição: | Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). Centro Paula Souza (CEETEPS). Faculdade de Tecnologia São Paulo (FATEC São Paulo) |
Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa de Apoio à Propriedade Intelectual (PAPI/Nuplitec) |