Resumo
O projeto consiste em estudar, por meio das técnicas de fotoluminescência (PL) e fotoluminescência de excitação (PLE), as propriedades de interfaces em poços quânticos formados pela junção GaAs/GaInP. O interesse no estudo reside no fato que a liga InGaP se apresenta como forte candidata a substituir à liga GaAIAs na confecção de dispositivos opto-eletrônicos e em razão de que este é um s…