| Processo: | 00/00713-7 |
| Linha de fomento: | Bolsas no Brasil - Mestrado |
| Vigência (Início): | 01 de outubro de 2000 |
| Vigência (Término): | 30 de setembro de 2002 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Jose Bras Barreto de Oliveira |
| Beneficiário: | Marcio Roberto Martins |
| Instituição-sede: | Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 96/11813-5 - Caracterização óptica de heteroestruturas semicondutoras crescidas por CBE, AP.JP |
| Assunto(s): | Fotoluminescência Semicondutores Poços quânticos Propriedades ópticas |
Resumo O projeto consiste em estudar, por meio das técnicas de fotoluminescência (PL) e fotoluminescência de excitação (PLE), as propriedades de interfaces em poços quânticos formados pela junção GaAs/GaInP. O interesse no estudo reside no fato que a liga InGaP se apresenta como forte candidata a substituir à liga GaAIAs na confecção de dispositivos opto-eletrônicos e em razão de que este é um sistema pouco estudado. As amostras serão crescidas pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE). A metodologia de estudo consiste em analisar as propriedades ópticas tais como: presença ou não de emissão excitônica relacionada com níveis confinados no poço, a forma de linha da PL, os valores do deslocamento de Stokes e relacioná-las com as propriedades micro-estruturais das interfaces. O objetivo principal do trabalho é o de variar os parâmetros de crescimento tipo: a seqüência de interrupção de crescimento na interface, a temperatura do substrato e a presença ou não de camadas adicionais colocadas nas interfaces, de modo a otimizar a qualidade destas. (AU) | |