Busca avançada
Ano de início
Entree

Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaInP

Processo: 00/00713-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2000
Vigência (Término): 30 de setembro de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Jose Bras Barreto de Oliveira
Beneficiário:Marcio Roberto Martins
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:96/11813-5 - Caracterização óptica de heteroestruturas semicondutoras crescidas por CBE, AP.JP
Assunto(s):Fotoluminescência   Semicondutores   Poços quânticos   Propriedades ópticas

Resumo

O projeto consiste em estudar, por meio das técnicas de fotoluminescência (PL) e fotoluminescência de excitação (PLE), as propriedades de interfaces em poços quânticos formados pela junção GaAs/GaInP. O interesse no estudo reside no fato que a liga InGaP se apresenta como forte candidata a substituir à liga GaAIAs na confecção de dispositivos opto-eletrônicos e em razão de que este é um sistema pouco estudado. As amostras serão crescidas pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE). A metodologia de estudo consiste em analisar as propriedades ópticas tais como: presença ou não de emissão excitônica relacionada com níveis confinados no poço, a forma de linha da PL, os valores do deslocamento de Stokes e relacioná-las com as propriedades micro-estruturais das interfaces. O objetivo principal do trabalho é o de variar os parâmetros de crescimento tipo: a seqüência de interrupção de crescimento na interface, a temperatura do substrato e a presença ou não de camadas adicionais colocadas nas interfaces, de modo a otimizar a qualidade destas. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MARTINS, Marcio Roberto. Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaInp. 2002. 98 f. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola de Engenharia de São Carlos São Carlos.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.