CV Lattes
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Ivan Emilio Chambouleyron em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.
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O presente projeto propõe estudar os elementos semicondutores amorfos da coluna IV (Si, Ge, C) da tabela periódica, algumas de suas ligas (SiC, SiGe., CNXI GeCx), e os efeitos de contaminação controlada ("dopagem") com elementos da coluna III e V, com o objetivo de aumentar o entendimento de suas propriedades físicas básicas (eletrônicas, ópticas, estruturais e mecânicas) para aplicações …
Estudo dos mecanismos microscópicos da cristalização a baixa temperatura de semicondutores amorfos induzida por metais. Filmes de germânio amorfo depositados sobre camadas finas de alumínio serão recozidas e estudadas com espectroscopia Raman e de transmissão infravermelho. A espessura da camada de alumínio será constante para todas as amostras, mas as camadas de germânio amorfo depositad…
Neste projeto de tese de doutorado pretende-se estudar a dependência da fotocondutividade (PC) com a temperatura em amostras intrínsecas e dopadas de germânio amorfo hidrogenado, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do Instituto de Física "Gleb Wataghin" da UNICAMP. Pretende-se realizar três tipos de medidas: (i) fotocondutividade dependente da temperatura…
Durante meu estágio em Princeton pretendo trabalhar principalmente nos aspectos de otimização da qualidade eletrônica das ligas amorfas de Si e Ge com vistas à fabricação de dispositivos fotovoltaicos. As pesquisas incluem a preparação dos materiais pelo método de descarga luminescente a partir de misturas gasosas de silana e germana variando os parâmetros que determinam a qualidade dos f…