Resumo
Neste projeto, realizaremos um estudo de dopagem tipo-p no a-Si:H. Os filmes serão preparados pela técnica de rf-sputtering para que seja possível utilizar fontes sólidas como dopantes. Serão usados como dopantes os elementos B, Al, Ga e In (coluna III). O boro, apesar de já ser bastante estudado, será utilizado para que seja possível comparar nossos resultados com os demais já publicados…