Pessoa Física (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Alexandre Pimenta Lima em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.
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O projeto de doutorado completo consiste de duas etapas, ambas envolvendo crescimento de semicondutores III-V por MBE (molecular Beam Epitaxy). A primeira etapa consistiu no estudo do crescimento de heteroestruturas semicondutoras baseadas em GaAs/AlAs e Super-Redes de Si-delta doping em GaAs, por MBE, utilizando-se a máquina Varian GEN-II do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores …
Crescimento de ligas de AllnN com constantes de rede próximas às do GaN para a realização de hetero-estruturas não tensionadas. Caracterização das propriedades ópticas, eletrônicas, e estruturais com o objetivo de otimização das condições de crescimento por MBE e/ou MOC VD. Camadas de AllnN com casamento de rede otimizado serão então depositadas em substratos de GaN a fim de se produzir g…
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