Resumo
Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente o comportamento do transistor tipo metal - óxido - semicondutor implementados em lâminas de Silício sobre isolante (SOI - MOSFET) operando desde a temperatura ambiente até 300ºC. O trabalho iniciará com o modelamento empírico de diversas estruturas SOI-MOSFET disponíveis, o qual será validado através de simulações numéricas bidi…