Resumo
Neste trabalho de iniciação científica deseja-se promover a caracterização elétrica e simulação de transistores do tipo MOS, desenvolvidos segundo a tecnologia Silício Sobre Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI), em altas temperaturas, variando-a desde 300 K até 523 K. Trabalhos de mestrado e doutorado desenvolvidos no Brasil, bem como publicados em periódicos\conferências no exterior, tê…