Resumo
O objetivo fundamental deste trabalho é o estudo dos problemas críticos relacionados com a fabricação de detectores de radiação de estrutura p-i-n feitos com silício amorfo hidrogenado, a-Si:H. Estes detectores precisam de uma camada intrínseca grossa, com espessura maior que 50 μm, para realizar uma detecção direta da radiação. Porém, a obtenção de camadas grossas de silício amorfo …