Resumo
Filmes finos de carbeto de silício hidrogenado amorfo (a-SiC:H), de alto gap, depositados por "plasma enhanced chemical vapor deposition" (PECVD), serão crescidos e caracterizados por espectroscopia de fluorescência com resolução temporal de nanosegundos e outras técnicas experimentais complementares. Distintos processos de decaimento serão investigados e a interpretação envolverá uma aná…