CV Lattes
Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Graduado em Física pela Universidade de São Paulo (1967) , mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1968) , doutorado em Física pela Universidade de São Paulo (1971) e pós-doutorado pela San Jose IBM Research Laboratory (1974) . Foi professor titular da Universidade de São Paulo e Diretor de Programas Horizontais e Instrumentais do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Possuía experiência na área de Física , com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuou principalmente nos seguintes temas: Semicondutores, estrutura eletrônica, Diamante. (Fonte: Currículo Lattes)
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o(a) pesquisador(a) |
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Os trabalhos serão centrados no estudo das propriedades eletrônicas, magnéticas, de transporte e ópticas de nanoestruturas semicondutoras (poços quânticos, multicamadas, super-redes e dispositivos de dupla barreira) com base em semicondutores magnéticos diluídos do tipo III(Mn)V, em especial compostos Ga(Mn)As e Ga(Mn)N. As propriedades deverão ser estudadas teoricamente com base em cálcu…
Durante toda a estadia do Prof. Yuri Pusep no Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos, inicialmente como bolsista do RHAE e do CNPq, depois como Professor Adjunto, e mais recentemente, como Professor Visitante Titular, temos mantido um contato científico direto. Publicamos nosso primeiro trabalho em colaboração em 1996 sobre propriedades de transporte em gás de elétro…
A exploração das propriedades de carga e spin do elétron vem proporcionando um grande progresso na área da eletrônica e tecnologia da informação. Recentemente, os avanços da epitaxia de semicondutores de compostos III-V possibilitaram a polarização de spin em semicondutores, mostrando que novas funções podem ser implementadas pela injeção, transporte e controle destes estados de spin. O r…
Neste projeto pretendemos realizar e analisar medidas de fotoluminescência e fotorefletância de amostras de múltiplos poços quânticos de AlGaN/GaN cúbico com diferentes estruturas como meio de caracterização óptica desses sistemas, embora esses sistemas na sua fase hexagonal tenham sido extensivamente explorados, em sua fase cúbica ainda é muito menos conhecido. O plano inclui também a me…
Neste projeto pretendemos calcular espectros Raman eletrônicos de GaN e de poços quânticos de AlGaAs-GaAs dopados seletivamente. Nos nitretos com dopagem tipo-n (bulk) espectros polarizados ressonantes com um gap óptico do material serão obtidos a fim de se estudar a presença de plasmons super-amorteéidos e o acoplamento elétron-fônon sob a presença de desordem estrutural. Para isso serão…
| 18 | Auxílios à pesquisa concluídos |
| 10 | Bolsas no país concluídas |
| 28 | Todos os Auxílios e Bolsas |
| Processos vinculados | |