Resumo
Neste trabalho deseja-se obter o ajuste de parâmetros e modelos necessários para permitir que o simulador analítico PSPICE simule transistores do tipo Metal-Oxido-Semicondutor implementados em lâminas de silício sobre Isolante (SOI-MOSFET). O trabalho iniciará com um estudo detalhado do simulador analítico mais utilizado na atualidade (PSPICE). Em seguida será feito um estudo do modelo an…