Resumo
O nitreto de índio (InN) e seus derivados são materiais com alta potencialidade de aplicações em dispositivos opto eletrônicos devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas. O InN possui um band gap em torno de 1,9 eV e, apesar de tal valor aparecer com mais freqüência na literatura, recentemente tem se obtido valores entre 0,7 e 0,9 eV. Estudos reportam que é possível obter tais valo…