Resumo
Neste trabalho serão fabricados capacitores MOS com porta de silício policristalino em várias condições de oxidação e limpeza química. Serão realizadas medidas da curva capacitância-tensão (C-V) e capacitância-tempo (C-t) destes capacitores para caracterizar a qualidade dos dispositivos e, principalmente, para as diversas condições de processamento (oxidação/limpeza) para a otimização do …