Resumo
Na tentativa de se superar os limites atuais para o escalamento dos dispositivos, a tecnologia UTBB SOI MOSFET (Ultra-Thin-Body-and-Buried-oxide Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) combinado à técnica da variação dinâmica da tensão de limiar surge como uma possível solução para diminuir os efeitos de canal curto e ainda melhorar o desempenho desses tran…