CV Lattes
Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui Ensino Médio pela Escola Dom Pedro II. Graduando em Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações pela Universidade Estadual Paulista - "Júlio de Mesquita Filho" - Câmpus de São João da Boa Vista. Bolsista de Iniciação Científica FAPESP atuando no estudo de transistores SOI MOSFETs Parcialmente e Totalmente Depletados e sua caracterização elétrica experimental e simulada em parâmetros digitais e analógicos (2 anos). Atualmente é Estudante Visitante na King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) em Thuwal, Arábia Saudita, onde trabalha com processos de fabricação de dispositivos semicondutores em Sala Limpa, no Laboratório de Nanotecnologia Integrada. (Fonte: Currículo Lattes)
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Com a redução dos dispositivos a dimensões nanométricas, o controle dos efeitos de canal curto em transistores MOSFETs convencionais têm se tornado cada vez mais difícil. Os transistores MOS fabricados em tecnologia SOI constituem uma das mais importantes áreas de estudo na atualidade, devido às excelentes melhoras no desempenho desses dispositivos, maior imunidade aos efeitos de canal cu…
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