CV Lattes
ORCID
Google Scholar Citations
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Doutorando em Física Aplicada em projeto financiado pela FAPESP (processo 2022/08731-3) com experência na área de propriedades ópticas e espectroscopia da matéria condensada e ênfase em fotoluminescência em nanoestruturas semicondutoras, especialmente poços e pontos quânticos de antimonetos, além de experiência em técnicas correlatas como fotoluminescência resolvida no tempo e magneto-fotoluminescência. Atualmente, realiza estágio de pesquisa no Institute for Nanoscience and Engineering da Universidade de Arkansas nos Estados Unidos no grupo do Prof. Dr. Greg. Salamo, sob financiamento da FAPESP. Bacharel em Engenharia Física na Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) com realização de período de estágio por quatro meses na Universidade de Arkansas. (Fonte: Currículo Lattes)
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o(a) pesquisador(a) |
| Mais itensMenos itens |
| TITULO |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): |
| Mais itensMenos itens |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
Nanoestruturas de baixa dimensionalidade, como poços e pontos quânticos, são destaque como um dos alvos de grande atenção das pesquisas acadêmicas ao longo das últimas décadas, tanto sob o ponto de vista de Física Básica como aplicada. Nesta direção, melhorias recentes no processo de crescimento de sistemas contendo antimônio (Sb) possibilitaram a introdução deste elemento nas tradicionai…
Dentre as diversas técnicas ópticas utilizadas na análise de materiais, uma das mais conhecidas é chamada espectroscopia Raman. O método de Raman consiste na análise da luz espalhada inelásticamente por um espécime após sua excitação através de uma fonte de luz, cujo espalhamento pode conter informações a respeito tanto da parte estrutural como eletrônica da estrutura. As principais vanta…
Recentes avanços nas técnicas de crescimento envolvendo nanoestruturas baseadas em antimônio têm despertado considerável interesse em incorporá-las nos sistemas tradicionais de semicondutores III-V. Essa busca é impulsionada por sua capacidade de deslocar emissões ópticas para os comprimentos de onda de telecomunicações, reduzir strain, melhorar efeitos de acoplamento spin-órbita e permit…
Esforços recentes em melhorar as técnicas de crescimentos de nanoestruturas baseadas em antimônio têm permitido sua incorporação nos tradicionais sistemas de semicondutores da família III-V, abrindo um amplo campo de investigações para a Física da Matéria Condensada. Sua relevância reside no deslocamento da emissão óptica em direção ao comprimento de onda das telecomunicações (1,2 - 1,6 ¼…