CV Lattes
Ministério da Defesa (Brasil). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Divisão de Ciências Fundamentais (IEF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Daniel de Oliveira Gonçalves em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.
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A obtenção de óxidos de silício de boa qualidade é fundamental tanto para o processo de microfabricação de dispositivos semicondutores quanto para o bom desempenho desses dispositivos. O método mais empregado para o crescimento de filmes de SiO2 é o de oxidação térmica do silício, que será o tema de estudo deste projeto. Para isso, será utilizado um forno de oxidação em temperaturas entre…
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