Resumo
Neste trabalho de pós-doutorado serão investigadas camadas ultrafinas de Al2O3, AlSixOy, TiSixOy e TiAlxOy com alta constante dielétrica (k) para porta MOS com espessura equivalente na faixa de 0,3 a 1nm. Serão fabricados capacitores MOS utilizando Al2O3, AlSixOy, TiSixOy e TiAlxOy, como dielétricos de porta, obtidos por pulverização catódica em equipamento tipo "RF Magnetron" seguido d…