Resumo
O uso de InP epitaxialmente recrescido sobre In0.53Ga0.47As para passivação das superfícies laterais de fotodiodos é investigado. O efeito da camada recrescida foi examinado por medidas fotoluminescência e corrente de escuro, e comparado com os resultados obtidos com passivação por camadas de SiO2 e Al2O3.A intensidade integrada da fotoluminescência do InGaAs coberto pelo InP aumentou por…