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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Disorder effects of vacancies on the electronic transport properties of realistic topological insulator nanoribbons: The case of bismuthene

Texto completo
Autor(es):
Pezo, Armando [1, 2] ; Focassio, Bruno [1, 2] ; Schleder, Gabriel R. [1, 2] ; Costa, Marcio [1, 3] ; Lewenkopf, Caio [3] ; Fazzio, Adalberto [1, 2]
Número total de Autores: 6
Afiliação do(s) autor(es):
[1] CNPEM, Brazilian Nanotechnol Natl Lab LNNano, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil
[2] Fed Univ ABC UFABC, Ctr Nat Sci & Humanities, BR-09210580 Santo Andre, SP - Brazil
[3] Univ Fed Fluminense, Inst Fis, BR-24210346 Niteroi, RJ - Brazil
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PHYSICAL REVIEW MATERIALS; v. 5, n. 1 JAN 19 2021.
Citações Web of Science: 0
Resumo

The robustness of topological materials against disorder and defects is presumed but has not been demon-strated explicitly in realistic systems. In this work, we use state-of-the-art density functional theory and recursive nonequilibrium Green's functions methods to study the effect of disorder on the electronic transport of long nanoribbons, up to 157 nm, as a function of vacancy concentration. In narrow nanoribbons, a finite-size effect gives rise to hybridization between the edge states erasing topological protection. Hence, even small vacancy concentrations enable backscattering events. We show that the topological protection is more robust for wide nanoribbons, but surprisingly it breaks down at moderate structural disorder. Our study helps to establish some bounds on defective bismuthene nanoribbons as promising candidates for spintronic applications. (AU)

Processo FAPESP: 17/02317-2 - Interfaces em materiais: propriedades eletrônicas, magnéticas, estruturais e de transporte
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 19/04527-0 - Interface entre isolantes topológicos cristalinos e materiais 2D-trivial: estudo de proximidade via defeitos
Beneficiário:Bruno Focassio
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
Processo FAPESP: 17/18139-6 - Machine learning e Ciência de Materiais: descoberta e design de materiais 2D
Beneficiário:Gabriel Ravanhani Schleder
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 16/14011-2 - Propriedades eletrônicas: interfaces entre isolantes topológicos (TI-TI)
Beneficiário:Marcio Jorge Teles da Costa
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado